Nivel eléctrico de salida

Nivel CMOS, 0V~Vcc, impedancia de salida 1MΩ

Precisión de frecuencia al enviar

5E-11

Estabilidad a corto plazo

3.0E-10/1S1.0E-10/10S3.0-11/100S

Ruido de fase (SSB)

@10Hz

-70dBc/Hz

@100Hz

-113dBc/Hz

@1KHz

-128dBc/Hz

@10KHz

-135dBc/Hz

Deriva de frecuencia

≤9E-11/mes

Consumo en estado estable (temperatura normal, 25℃)

≤150mW @3.3V

Fuente de energía

3.3V±0.1V

Rendimiento de calentamiento (25℃)

≤3 min bloqueado

Rango de ajuste de frecuencia

±2E-8

Función de sincronización de entrada 1PPS

Nivel bajo 0V-0.3V, nivel alto 2.3V-3.0V, impedancia de entrada 1MΩ

Precisión disciplinada de entrada 1PPS

Nivel bajo ＜0.3V, nivel alto 2.3V-3.0V, impedancia de entrada 1MΩ

Mantenimiento

≤5μs (diferencia de tiempo de mantenimiento de 24 horas después de un día de disciplina)

Función de sincronización externa de segundos

La precisión de sincronización 1PPS es mejor que ±100ns

Precisión disciplinada externa de segundos

≤5E-12 (diferencia de tiempo de mantenimiento de 24 horas después de un día de disciplina)

Temperatura de operación

-40℃~+70℃ (+80℃ opcional)

Precisión de temperatura

≤1E-9 (5E-10 opcional)

Temperatura de almacenamiento

-55℃~+85℃

MTBF

＞100,000 horas

Embalaje

Paquete dual en línea de 12 pines

Tamaño externo

41*35*11.7 (mm3)

Peso

≤35g

1

NC

7

+3.3V

2

N/A

8

GND

3

N/A

9

Entrada 1PPS

4

Indicación de bloqueo

10

Salida 1PPS

5

TXD

11

N/A

6

RXD

12

Salida 10MHZ